一、检测项目详解
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- 定义:从施加反向电压瞬间到反向电流降至规定阈值(如10% IRM)的时间。
- 测试条件:
- 正向电流(IF):按规格书设定(如1A)。
- 反向电压(VR):规定值(如100V)。
- 切换速率(di/dt):典型值50-100A/μs,需与器件应用场景匹配。
- 设备:高速示波器(带宽≥1GHz)、脉冲发生器、电流探头。
- 关键点:确保触发同步,避免测量延迟误差。
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- 意义:反映存储电荷总量,直接影响开关损耗。
- 方法:积分反向恢复电流波形(Qrr=∫Irr(t)dt)。
- 工具:示波器数学运算功能或专用电荷测量模块。
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- 影响:过高IRM会导致电压尖峰和EMI问题。
- 捕捉要求:使用高采样率(≥5GS/s)准确捕获瞬态峰值。
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- 软恢复/硬恢复判断:通过波形斜率评估(软恢复斜率低,EMI更优)。
- 振荡检测:检查波形是否出现阻尼振荡,反映寄生电感/电容影响。
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- 范围:-40°C至+150°C(汽车级器件需覆盖更宽温区)。
- 设备:温控箱、热耦合夹具。
- 趋势:温度升高通常导致trr延长,需验证高温下的可靠性。
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- 批次抽样:随机抽取10-20个样品,统计trr分布。
- 标准:六西格玛管控(Cpk≥1.33)。
二、测试系统搭建要点
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- 推荐拓扑:采用电感-开关串联的经典测试电路(符合JEDEC JS-001标准)。
- 关键元件:
- 低寄生电感负载电感(如空心绕组)。
- 高速MOSFET驱动(上升时间<10ns)。
- 阻尼电阻(抑制振荡)。
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- 探头校准:使用脉冲发生器与已知负载校准电流探头延时。
- 地回路优化:缩短探头接地线(<1cm),使用同轴连接器。
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- PCB设计:采用多层板,电源/地平面完整,避免过孔引入电感。
- 接线长度:高压线缆长度<10cm,必要时使用屏蔽线缆。
三、典型测试步骤
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- 设备预热30分钟,消除温漂。
- 设置示波器:触发模式(单次触发)、存储深度(≥1M点)。
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- 按规格书输入IF、VR,调整脉冲宽度(确保器件完全导通)。
- 设置di/dt(通过调整驱动电阻或电感值)。
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- 触发位置设定在电流下降沿。
- 多次采样取平均,降低随机噪声。
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- 使用光标测量trr(t1-t0):
- t0:电流过零点。
- t1:电流降至IRM的10%。
- 使用光标测量trr(t1-t0):
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