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GB/T 13387-2009硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13387-2009硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法，本标准用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm 的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认,预期精度不因材料而改变。本标准适用于仲裁测量,当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时,本标准也可用于常规验收测量。
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GB/T 14139-2009硅外延片
GB/T 14139-2009硅外延片，本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N 型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+ )和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+ )的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。
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GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法，本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
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GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法，本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
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GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法，本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
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GB/T 16271-2009钢丝绳吊索 插编索扣
GB/T 16271-2009钢丝绳吊索 插编索扣，本标准规定了插编的钢丝绳吊索索扣的术语、技术要求、试验方法和检验规则。本标准适用于折回式、对插式手工插编和机械插编的六股钢丝绳吊索的索扣，其他多股钢丝绳的插编可参照执行。
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GB 16413-2009煤矿井下用玻璃钢制品安全性能检验规范
GB 16413-2009煤矿井下用玻璃钢制品安全性能检验规范，本标准规定了煤矿井下用玻璃钢制品的阻燃抗静电安全性能要求、试验方法及检验规则。本标准适用于煤矿井下用玻璃钢制品安全性能的检验。
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GB/T 16484.10-2009氯化稀土、碳酸轻稀土化学分析方法 第10部分：氧化锰量的测定
GB/T 16484.10-2009氯化稀土、碳酸轻稀土化学分析方法 第10部分：氧化锰量的测定 火焰原子吸收光谱法，本部分规定了氯化稀土、碳酸轻稀土中氧化锰含量的测定方法。本部分适用于氯化稀土、碳酸轻稀土中氧化锰含量的测定。测定范围：0.0020%～0.20%。
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