标准编号:GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
标准状态:现行
标准简介:本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
英文名称: Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
替代情况: 替代GB/T 14146-1993
中标分类: 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程>>29.045半导体材料
发布部门: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
首发日期: 1993-02-06
提出单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会


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