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GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法
GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法，本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法，本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度，本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制，本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。
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GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法，本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
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GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法，本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
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GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法
GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法，本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
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GB/T 6412-2009家庭用煤及炉具试验方法
GB/T 6412-2009家庭用煤及炉具试验方法，本标准规定了家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具性能评定过程中所用到的术语和定义、符号，性能评价的试验原理及测试指标、试验条件、试验程序及试验结果的计算和评定方法。本标准适用于测定家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具(以下简称炉具)的性能指标。
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GB/T 6150.9-2009钨精矿化学分析方法 铜量的测定
GB/T 6150.9-2009钨精矿化学分析方法 铜量的测定 火焰原子吸收光谱法，本部分规定了钨精矿中铜含量的测定方法。本部分适用于钨精矿中铜含量的测定。
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GB/T 6150.8-2009钨精矿化学分析方法 钼量的测定
GB/T 6150.8-2009钨精矿化学分析方法 钼量的测定 硫氰酸盐分光光度法，本部分规定了钨精矿中钼含量的测定方法。本部分适用于钨精矿中钼含量的测定。
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GB/T 6150.3-2009钨精矿化学分析方法 磷量的测定
GB/T 6150.3-2009钨精矿化学分析方法 磷量的测定 磷钼黄分光光度法，本部分规定了钨精矿中磷量的测定方法。本部分适用于钨精矿中磷量的测定。
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