GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

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标准编号：GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

英文名称： Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

替代情况： 替代GB/T 6618-1995

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1986-07-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会