GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法

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标准编号：GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

英文名称： Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

替代情况： 替代GB/T 6616-1995

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

采标情况： SEMI MF673-1105 MOD

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1986-07-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会