高温存储试验
实验室拥有众多大型仪器及各类分析检测设备,研究所长期与各大企业、高校和科研院所保持合作伙伴关系,始终以科学研究为首任,以客户为中心,不断提高自身综合检测能力和水平,致力于成为全国科学材料研发领域服务平台。
立即咨询高温存储试验技术内容
1. 检测项目分类及技术要点
高温存储试验旨在评估产品或材料在高温环境下的长期稳定性、可靠性及性能退化情况。主要检测项目可分为以下三类:
1.1 材料结构与性能稳定性试验
-
技术要点:关注材料本身的物理化学变化。
1.2 电性能与功能可靠性试验
-
技术要点:针对电子电工产品,评估其电学参数漂移和功能保持能力。
-
电气参数测试:在标准大气条件下恢复后,测量关键参数如绝缘电阻、介质耐压、接触电阻、导通电阻、漏电流、电容值、阈值电压等是否超出允许偏差。
-
功能验证:确认产品是否能够正常启动、运行及完成所有设计功能,是否存在逻辑错误、数据丢失或通信故障。
-
失效分析:对出现故障的样品进行解剖,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)等手段分析键合点退化、金属间化合物生长、电迁移、芯片裂纹等失效机理。
-
1.3 化学与密封完整性试验
-
技术要点:评估密封器件内部气氛变化及外部防护能力。
-
内部水汽含量分析:对密封的微电子器件、光电器件,通过质谱法或露点法检测内部水汽含量是否超标,防止后续产生冷凝或腐蚀。
-
密封性检漏:试验前后进行细检漏(氦质谱检漏)和粗检漏(氟油气泡检漏),验证高温是否导致密封性能下降。
-
电解液稳定性:针对电池类产品,监测高温下电解液是否泄漏、挥发或发生副反应导致鼓胀、容量加速衰减。
-
核心试验参数与条件设置要点:
-
温度:根据产品极限和预期使用环境确定,常见等级如70°C、85°C、100°C、125°C、150°C等,对军品、车规级芯片可能高达175°C以上。
-
持续时间:通常为48h、96h、168h、500h、1000h或更长,需结合寿命预估模型(如阿伦尼乌斯模型)进行加速。
-
样品状态:通常规定为“非工作状态”(Unpowered),但部分标准可能要求“静态偏置”或间歇工作。
-
大气条件:一般为常压空气环境,特定试验可能要求控制湿度或惰性气氛。
-
升降温速率:通常要求受控(如≤1°C/min),以避免热冲击。
2. 各行业检测范围的具体要求
2.1 半导体与微电子行业
-
集成电路(IC):重点关注电参数漂移、数据保持能力(如存储器)、键合可靠性、芯片与封装材料间的热失配。车规级AEC-Q100要求最高结温(如150°C)下的长时间存储(如1000h)后功能参数合格。
-
分立器件:评估高温下反向漏电流、击穿电压的稳定性。
-
光电器件(LED、激光器):除电性能外,需监测发光波长、光功率的漂移及封装材料黄变。
2.2 汽车电子行业
-
标准依据:ISO 16750-4、AEC-Q系列、各大整车厂企业标准。
-
具体要求:试验温度严苛,常高于105°C(发动机舱附近部件可能要求125°C-150°C)。存储时间通常为500h或1000h。要求试验后无永久性功能丧失,参数变化必须在规定限值内,且外观无显著劣化。
2.3 新能源与电池行业
-
锂离子电池/电芯:依据GB/T 31467.3、IEC 62660-2等,通常进行高温耐久性测试(如60°C或更高温度下存储30天),考核容量恢复率(≥90%)、内阻变化率及安全性(无泄漏、起火、爆炸)。
-
光伏组件:依据IEC 61215,进行高温(85°C±2°C)下1000h的湿热测试(DH),但纯高温存储用于评估背板、EVA胶膜等材料的老化。
2.4 航空航天与军工行业
-
标准依据:MIL-STD-883(方法1008)、GJB 548、GJB 150等。
-
具体要求:等级最高,存储温度范围广(如-65°C至+150°C或更高),时间长达1000小时以上。强调极端温度下的材料兼容性、机械结构完整性和超高可靠性。密封器件必须进行严格的PDA(参数故障分析)和失效分析。
2.5 基础元器件及材料行业
-
被动元件:电阻、电容、电感需评估高温下参数(阻值、容值、感值、Q值、DF)的长期漂移特性。
-
连接器与线缆:关注绝缘材料老化、接触件氧化导致的接触电阻增大、绝缘性能下降。
-
高分子与复合材料:通过高温存储加速老化,研究其热氧老化机理,获取寿命预测数据。
3. 检测仪器的原理和应用
3.1 核心设备:高温试验箱
-
原理:采用电阻丝或电热管加热,通过强制空气对流(风扇循环)使箱内温度均匀。温度控制系统由温度传感器(通常为铂电阻PT100)、控制器(PID算法)和执行机构(固态继电器或晶闸管)构成,实现精确的温度设定、控制和程序化运行。
-
应用:提供稳定、均匀的高温环境。关键指标包括温度范围、均匀度(如±2°C)、波动度(如±0.5°C)、升降温速率及内胆材质(常为不锈钢,需耐腐蚀)。
3.2 辅助与测量仪器
3.2.1 电性能测量仪器
-
数字万用表/高阻计:测量绝缘电阻、导通电阻等。
-
LCR表:精密测量电容、电感、电阻及其损耗因子。
-
半导体参数分析仪:用于IC和分立器件的精细电参数测试,如I-V曲线、阈值电压等。
3.2.2 材料分析仪器
-
热重分析仪(TGA):测量样品质量随温度/时间的变化,用于分析材料的热分解温度、挥发分含量及氧化稳定性。
-
差示扫描量热仪(DSC):测量材料在程序控温下与参比物的热流差,用于测定熔点、结晶度、玻璃化转变温度(Tg)及氧化诱导时间(OIT)。
-
傅里叶变换红外光谱仪(FTIR):通过分析材料对红外光的吸收光谱,鉴别化学成分变化,如氧化产物生成、键断裂等。
3.2.3 形貌与失效分析仪器
-
扫描电子显微镜(SEM):提供样品表面和断口的超高分辨率形貌图像。
-
能谱仪(EDS):与SEM联用,进行微区元素成分分析,用于判断腐蚀、迁移、污染等。
-
X射线透视/计算机断层扫描(X-ray/CT):无损检测器件内部结构,如引线断裂、空洞、分层。
3.2.4 密封性检测仪器
-
氦质谱检漏仪:原理为利用磁偏转质谱仪检测示踪气体氦气。灵敏度极高(可达10^-12 Pa·m³/s),用于密封器件的细检漏。
-
气泡检漏设备:将加压浸入氟油或水中的器件,观察是否有连续气泡冒出,用于粗检漏。
试验流程控制:现代试验通常通过集成化的数据采集系统,实时监测试验箱温度曲线,并可对部分样品进行在线或在席(监测但不供电)电参数监测,实现全过程数据可追溯。



扫一扫关注公众号
