发射极开路时最大集电极-基极截止电流(ICBO)检测完整指南
一、检测目的
- 验证器件在额定反向电压下的漏电流是否符合规格书要求。
- 评估器件在高温或长时间工作下的漏电流稳定性。
- 筛选存在制造缺陷或潜在失效的器件。
二、检测设备与条件
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- 高精度直流电源(分辨率≤1mV)
- 微安级数字万用表(量程0.1μA~1mA)
- 恒温箱(温度范围-55℃~150℃)
- 防静电测试夹具及屏蔽线
- 三极管测试座(支持TO-92、SOT-23等封装)
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- 电压:按规格书要求施加反向电压(典型值:VCBO)
- 温度:常温(25℃)及高温(如125℃,根据应用场景设定)
- 时间:电压稳定后读数,每次测试持续5~10秒。
三、检测步骤
- 发射极悬空,集电极接电源正极,基极接电源负极(NPN型)。
- 串联数字万用表于集电极回路,设置为直流电流测量模式(图1)。
- 缓慢升高电源电压至额定VCBO,记录稳定后的电流值。
- 重复3次取平均值,对比规格书限值(如≤1μA)。
- 将器件置于恒温箱,升温至目标温度并保持15分钟。
- 重复电压施加与电流测量,观察漏电流变化趋势。
- 若电流值超过规格书标准(如>5μA)或呈现指数级增长,判定为不合格。
四、关键注意事项
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- 使用屏蔽线并远离高频信号源,避免读数波动。
- 在电路中并联0.1μF陶瓷电容滤除高频干扰。
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- 操作全程佩戴防静电手环,测试台接地。
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- 避免急速加压导致器件击穿,建议以10V/s速率逐步增加。
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- 高温测试时需校正仪器温漂误差,必要时采用四线法测量。
五、数据分析与报告
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测试条件 VCBO (V) 温度 (℃) ICBO (μA) 判定结果 常温 40 25 0.8 合格 高温 40 125 3.2 合格 -
- 芯片表面污染导致漏电
- PN结缺陷或封装密封性不足
六、相关标准参考
- JEDEC JESD77B:双极型晶体管测试标准
- MIL-STD-750:军用半导体器件试验方法
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