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中化所,材料实验室
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集电极-发射极截止电流检测

发布时间:2025-07-04 17:24:58- 点击数: - 关键词:

实验室拥有众多大型仪器及各类分析检测设备,研究所长期与各大企业、高校和科研院所保持合作伙伴关系,始终以科学研究为首任,以客户为中心,不断提高自身综合检测能力和水平,致力于成为全国科学材料研发领域服务平台。

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

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集电极-发射极截止电流(ICEO)检测技术详解

一、概述

二、核心检测原理

检测项目及实施流程

1. 设备配置

设备名称 规格要求 功能说明
高精度数字源表 分辨率≤1nA,四线制测量 提供偏压并精确测量微小电流
恒温箱 控温范围-40℃~150℃,精度±0.5℃ 模拟器件工作温度环境
屏蔽测试夹具 绝缘电阻>10^12Ω,带三轴屏蔽 消除环境电磁干扰及漏电流影响
半导体参数分析仪 支持SMU模块,自动扫描功能 实现多参数批量测试

2. 标准化检测步骤

  • 器件在25℃/60%RH环境下静置24小时释放应力
  • 使用氟碳溶剂清洗引脚去除氧化层
Vcc │ ├───电流表(测ICEO) │ C │ B开路 │ E └───地
  • 采用开尔文连接法降低接触电阻
  • 屏蔽箱接地阻抗<4Ω
  • VCE施加额定VCBO的80%(如VCBO=60V则设VCE=48V)
  • 预热源表30分钟至温漂<0.5nA/min
  1. -55℃下稳定2小时后测量
  2. 25℃标准环境测量
  3. 125℃高温持续1小时后记录数值 注:军用级器件需增加175℃测试点
  • 每个温度点取100个采样点作平均值
  • 采样间隔≥10秒保证热平衡

3. 关键判定标准(依据JESD22-A108F)

器件类别 最大允许ICEO(25℃) 高温(125℃)系数
通用三极管 ≤100nA <10倍温升比
射频管 ≤50nA <8倍温升比
功率管 ≤500nA <15倍温升比

三、典型失效模式分析

    • 可能原因:管芯裂纹导致局部电场集中
    • 解决方案:SEM扫描观察结区形貌
    • 典型案例:125℃时ICEO超标准值3倍
    • 失效机理:封装气密性不足导致湿气侵入
    • 检测方法:在10Hz-100kHz频段进行FFT分析
    • 改善措施:优化钝化层厚度至200nm以上

四、前沿检测技术

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五、行业应用案例

实验室环境与谱图 合作客户

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