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GB/T 24573-2009金库和档案室门耐火性能试验方法
GB/T 24573-2009金库和档案室门耐火性能试验方法，本标准规定了金库和档案室门耐火性能分级、耐火试验装置、试验条件、试件要求、试验程序、试验结果表示和试验报告等。本标准适用于密闭空间且最大内容积为142m3 的固定和移动式金库的门,也适用于最大内容积为1420m3 密闭空间的档案室的门。
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GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法，本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。
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GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法，本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每种金属总量。本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。
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GB/T 24577-2009热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24577-2009热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物，本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。
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GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物，本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。
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GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法，本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
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GB/T 24582-2009酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 24582-2009酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质，本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。
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GB/T 24583.1-2009钒氮合金 钒含量的测定 硫酸亚铁铵滴定法
GB/T 24583.1-2009钒氮合金 钒含量的测定 硫酸亚铁铵滴定法，本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。
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