一、检测原理

1. • 定义：二极管由正向导通状态切换到反向截止状态时，内部载流子需要一定时间完成复合或抽离，此期间二极管无法完全阻断电流，这一延迟时间称为正向恢复时间。
   • 检测意义：tfr过长会导致开关损耗增加，甚至引发电路振荡或器件过热。
2. • 定义：在恢复过程中，由于载流子快速消散，二极管两端会出现瞬态电压尖峰，其最大值即为VFRM。
   • 检测意义：过高的VFRM可能击穿器件或被误判为过压故障，影响系统稳定性。

二、检测项目及方法

1. 检测设备

• 脉冲发生器：提供快速上升/下降的电流波形（di/dt >100 A/μs）。
• 示波器：高带宽（≥500MHz）、高采样率（≥5GS/s）以捕捉瞬态波形。
• 电流探头与电压探头：需确保探头带宽匹配示波器。
• 恒温箱：控制测试环境温度（通常-55°C至+150°C）。

2. 测试电路设计

• 典型电路：采用电感-电容（LC）谐振回路或阶梯恢复脉冲电路模拟实际开关条件。
• 关键参数：
  • 正向电流（IF）：根据器件额定值设定（如10A~100A）。
  • 反向电压（VR）：施加反向偏压以模拟实际工况。
  • 电流变化率（di/dt）：直接影响VFRM幅值，需精确控制。

3. 检测步骤

1. • 将器件置于恒温箱中达到设定温度（常用25°C、125°C）。
   • 校准示波器和探头，消除偏移误差。
2. • 通过脉冲发生器注入正向电流（IF），使二极管导通。
   • 迅速切断正向电流并施加反向偏压（VR）。
3. • 记录正向恢复期间二极管两端的电压波形（图1）。
   • 测量tfr：从电流过零点到电压恢复至反向额定电压的90%所需时间。
   • 测量VFRM：波形中的电压尖峰最大值。

4. 关键波形特征

• 典型波形包括：
  • 预恢复阶段：电流迅速下降到零，电压开始上升。
  • 峰值电压阶段（VFRM）。
  • 恢复衰减阶段：电压逐渐稳定至反向阻断状态。

三、影响因素及控制

1. 温度：温度升高会导致tfr延长，VFRM降低（载流子复合加快）。
2. 电流变化率（di/dt）：di/dt越大，VFRM越高。
3. 器件结构：
   • 快恢复二极管（FRD）的tfr通常＜100ns，超快恢复二极管（UFRD）可低至10ns。
   • PIN结构优化可降低VFRM。

四、应用与标准

1. • IEC 60747-9：半导体器件测试方法。
   • JEDEC JESD282B：二极管动态参数测量规范。
2. • 高频开关电源：需低tfr以减小开关损耗。
   • 逆变器与电机驱动：需抑制VFRM避免IGBT误触发。
   • 光伏系统：优化二极管恢复特性可提升MPPT效率。

五、注意事项

1. 避免寄生参数干扰：缩短探头引线，使用低感抗PCB布局。
2. 重复性测试：多次测量取平均值，排除噪声影响。
3. 安全防护：高di/dt测试可能产生电磁干扰，需屏蔽测试环境。