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中化所,材料实验室
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半导体集成电路电压比较器检测

发布时间:2025-07-03 19:13:30- 点击数: - 关键词:

实验室拥有众多大型仪器及各类分析检测设备,研究所长期与各大企业、高校和科研院所保持合作伙伴关系,始终以科学研究为首任,以客户为中心,不断提高自身综合检测能力和水平,致力于成为全国科学材料研发领域服务平台。

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

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一、电气性能测试

    • 输入失调电压(Vos) 方法:将两输入端短接并施加相同电压,测量输出电压为零时的输入电压差值。 标准:通常要求Vos ≤ 1mV(高精度比较器需更低)。
    • 输入偏置电流(Ib) 方法:通过高精度电流表测量输入端的静态电流。 影响:偏置电流过大会导致输入信号误差。
    • 响应时间(Propagation Delay) 方法:使用信号发生器输入阶跃信号,示波器捕捉输出跳变延迟(从输入过阈值到输出翻转90%的时间)。 细分:上升沿延迟(tPLH)和下降沿延迟(tPHL)。
    • 输出驱动能力 方法:连接不同负载电阻,测试输出电平是否满足逻辑高/低阈值。
    • 共模抑制比(CMRR) 方法:固定差分输入电压,改变共模电压,测量输出电压变化量。 公式:CMRR = 20log(ΔVcm/ΔVout)(单位:dB)。
    • 电源电压抑制比(PSRR) 方法:改变电源电压(如±10%),测量输出电压波动。

二、功能验证

    • 根据数据手册标称阈值(如1.2V),输入斜坡信号,记录输出翻转点电压,重复多次统计误差。
    • 输入三角波信号,测量输出跳变的上阈值(VTH)和下阈值(VTL),计算滞回电压ΔV = VTH - VTL。
    • 在高低电平输出时,使用负载电路测试是否符合标准逻辑电平(如TTL或CMOS电平)。

三、可靠性测试

    • 条件:125℃环境下连续工作500小时,监测参数漂移(如Vos变化率≤10%)。
    • 条件:-40℃至+85℃循环冲击100次,测试封装与内部连接可靠性。
    • 常温下持续运行1000小时,观察输出阈值是否发生偏移。

四、封装与物理特性测试

    • 使用拉力计测试键合线断裂强度,确保符合MIL-STD-883标准(如金线≥3g)。
    • 氦质谱检漏法:检测封装气密性,防止湿气侵入导致内部腐蚀。
    • 依据HBM(人体放电模型)和CDM(器件充电模型),施加±2kV~±8kV静电脉冲,测试功能是否失效。

五、特殊环境适应性测试

    • 针对航空航天应用,进行γ射线或中子辐射试验,监测参数退化情况。
    • 模拟运输或工业环境振动(如5-2000Hz随机振动),验证结构完整性。

六、测试设备与注意事项

  • 关键设备
    • 高精度源表(如Keysight B2900系列)、示波器(带宽≥100MHz)、温控箱(-65℃~+150℃)。
  • 注意事项
    • 测试前需充分预热设备以减少温漂;
    • 高频测试时需使用屏蔽线缆,避免信号串扰。

总结

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