二极管核心检测项目及技术要点
一、外观及基础参数检测
1. 目视检查(Visual Inspection)
- 检测内容:
- 封装完整性:检查表面裂纹、烧焦痕迹、引脚氧化
- 标识验证:核对型号代码、极性标记(色环/凹槽)
- 引脚状态:观察引脚弯曲变形、焊点脱落现象
- 工具:3-10倍放大镜、防静电镊子
- 标准:参照IPC-A-610电子组件验收标准
2. 极性验证(Polarity Verification)
- 万用表检测法:
- 选择二极管测试档(或电阻档)
- 正向导通:红表笔接阳极时显示0.5-0.7V(硅管)
- 反向截止:表笔反接显示"OL"或超量程值
- 注意:测试功率器件时需限制电流<1mA
二、关键电气性能检测
3. 正向压降测试(Forward Voltage Drop, Vf)
- 测试电路:DC电源 → 限流电阻(1kΩ) → 二极管 → 数字万用表(电压档)
- 典型值参考:
二极管类型 Vf范围 测试电流 硅二极管 0.5-0.7V 1-20mA 锗二极管 0.2-0.3V 1-5mA 肖特基 0.15-0.4V 100mA - 要点:需在标准测试电流下测量,避免自热效应
4. 反向击穿电压(Breakdown Voltage, Vbr)
- 测试方法:
- 搭建可调直流电源测试回路
- 以5V/秒速率提升反向电压
- 记录电流突增点(通常取1mA对应电压值)
- 安全措施:
- 串联10kΩ以上保护电阻
- 使用高压探头(>1000V需求)
- 单次测试时间<5秒防止热击穿
5. 反向漏电流(Reverse Leakage Current, Ir)
- 测试条件:
- 施加80% Vbr额定电压
- 环境温度控制25±2℃
- 合格标准:
电压等级 最大允许漏电流 <50V <1μA 50-400V <5μA >400V <10μA - 注意事项:需在暗室环境测试(避免光敏二极管误触发)
三、动态特性检测
6. 反向恢复时间(trr)
- 测试系统:
- 脉冲发生器(上升时间<5ns)
- 高速示波器(带宽≥100MHz)
- 电流探头(响应时间<1ns)
- 测试波形:
- 行业标准:
二极管类型 典型trr范围 普通整流 500ns-2μs 快恢复 50-100ns 超快恢复 <35ns
四、环境适应性测试
7. 温度特性验证
- 测试项目:
- 高温反偏试验(125℃/1000h)
- 低温导通测试(-55℃下Vf偏移量≤15%)
- 温度循环测试(-40℃↔125℃,50次循环)
- 设备要求:
- 高低温试验箱(精度±1℃)
- 在线测试夹具(减少热接触电阻)
五、检测报告要点
1. 样品基本信息:型号、批次号、封装形式 2. 关键参数对比表: | 参数 | 实测值 | 规格书值 | 偏差率 | |-------------|-------|---------|-------| | Vf@20mA | 0.68V | 0.65V | +4.6% | 3. 失效分析:异常波形截图、微观结构缺陷照片(如有) 4. 检测:符合GB/T 4937-2012标准要求检测质量管理要点
- 设备校准:数字源表需每年计量校准
- ESD防护:检测台接地电阻<4Ω,人员佩戴腕带
- 数据记录:原始数据保存周期≥5年
- 异常处理:建立失效样品追溯隔离机制


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