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GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法，本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
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GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法，本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
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GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法，本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
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GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定
GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法，本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
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GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法，本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。
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GB/T 223.86-2009 钢铁及合金 总碳含量的测定
GB/T 223.86-2009 钢铁及合金 总碳含量的测定 感应炉燃烧后红外吸收法，本部分规定了用感应炉燃烧后红外吸收法测定钢铁中总碳含量的方法。本部分适用于质量分数为0.003%~4.5%的碳含量的测定。
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GB/T 223.83-2009钢铁及合金 高硫含量的测定
GB/T 223.83-2009钢铁及合金 高硫含量的测定 感应炉燃烧后红外吸收法，本部分规定了用感应炉燃烧红外吸收法测定钢铁中硫含量的方法。本方法适用于质量分数为0.10%~0.35%硫含量的测定。
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GB/T 4622.1-2009缠绕式垫片分类
GB/T 4622.1-2009缠绕式垫片分类，本部分规定了缠绕式垫片的型式、代号、标记和标志。本部分适用于管法兰用缠绕式垫片。
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