GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
发布时间：2025-03-11 09:32:30- 点击数： - 关键词：GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
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标准编号：GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
标准状态：现行
标准简介：本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
英文名称： Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料
采标情况： IDT SEMI MF 1630-0704
发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期： 2009-10-30
实施日期： 2010-06-01
首发日期： 2009-10-30
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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