一、检测原理与目的

1. 验证晶体管是否符合设计规格；
2. 评估工艺稳定性（如掺杂浓度、结深等）；
3. 筛选潜在缺陷（如结边缘粗糙、污染导致的局部击穿）。

二、核心检测项目与实施方法

1. 反向击穿电压（V_EB）的标定

• 使用半导体参数分析仪（如Keysight B1500A），设置反向电压扫描（基极接正极，发射极接负极）。
• 记录电流随电压变化的曲线，通常以反向电流达到1 mA时的电压值为V_EB（部分标准采用10 μA或自定义阈值）。

• 测试前需确保器件处于热平衡状态（避免自热效应干扰）；
• 需限制测试电流（如串联保护电阻），防止二次击穿损坏器件。

2. 温度依赖性测试

• 在温控环境箱中（-55°C至150°C范围内），逐级升温并重复V_EB测试。
• 分析击穿电压随温度升高的变化趋势（通常V_EB随温度升高而降低）。

3. 反向漏电流（I_R）检测

• 在V_EB额定值的80%电压下，测量反向漏电流值；
• 对比同批次或不同工艺批次的数据，筛选异常漏电流器件（如漏电流突增可能预示微观缺陷）。

4. 重复性与稳定性测试

• 对同一器件施加周期性反向偏压（如100次循环），记录每次V_EB的变化；
• 分析击穿电压的漂移量（合格标准通常要求漂移<5%）。

5. 击穿曲线斜率分析

• 计算击穿点附近电流-电压曲线的斜率（dV/dI）；
• 硬击穿（雪崩击穿）表现为曲线斜率骤降，软击穿（缺陷导致）则斜率平缓。

三、测试设备与防护措施

1. • 半导体参数分析仪（需支持高压模块，最高电压≥50 V）。
   • 温控测试探针台（温度范围覆盖器件规格）。
   • 防静电工作台（ESD防护等级≥1 kV）。
2. • 避免测试电压超过器件极限值造成永久损坏；
   • 高频测试时需考虑探针和走线的寄生电容影响。

四、数据处理与结果判定

1. • 记录每次测试的V_EB、I_R、测试温度及环境参数；
   • 绘制击穿特性曲线和温度-电压关系图。
2. • 符合器件规格书要求的V_EB范围；
   • 漏电流、温度系数等参数符合行业标准（如JEDEC或AEC-Q101）。

五、典型失效模式与对策

1. V_EB偏低：可能因基区掺杂浓度过高或结深不足，需优化扩散/离子注入工艺。
2. 反向漏电流异常：排查表面污染、氧化层缺陷或金属迁移问题。
3. 击穿曲线不重复：可能由封装应力或接触不良引起，需改进封装工艺。