一、电工电子产品检测项目

1. • 耐压测试（Hi-Pot Test）：施加高于额定电压的测试电压，验证绝缘材料是否击穿。
   • 绝缘电阻测试：测量导体与外壳间的电阻值，确保绝缘性能符合标准（如IEC 60664）。
   • 接地连续性测试：检查接地导体的导通性，防止漏电风险。
   • 温升测试：模拟满负荷运行下的温度变化，评估热安全性能。
2. • 高低温循环测试（-40℃~125℃）：验证器件在极端温度下的耐受性。
   • 湿热测试（85℃/85%RH）：评估潮湿环境下材料的耐腐蚀性和绝缘性能。
   • 振动与冲击测试：模拟运输或使用中的机械应力，检测结构完整性。
3. • 传导骚扰（CE）与辐射骚扰（RE）：检测产品对电网或空间的电磁干扰是否超标。
   • 静电放电抗扰度（ESD）：评估器件对静电脉冲（如±8kV接触放电）的防护能力。
4. • 输入/输出特性验证、过载保护功能、能效等级测试（如欧盟ErP指令）。

二、微电子器件检测项目

1. • 直流参数：阈值电压（Vth）、漏电流（Ioff）、导通电阻（Ron）等。
   • 交流参数：传输延迟时间、信号完整性（眼图测试）。
   • 功能验证：通过ATE（自动测试设备）执行逻辑测试向量，确保设计功能正确。
2. • 加速寿命试验（ALT）：在高温高湿（如HAST试验）、高压条件下加速老化，推算器件寿命。
   • 高温工作寿命（HTOL）：125℃下长时间通电，筛选早期失效产品。
   • 温度循环（TC）与热冲击（TST）：验证封装材料与焊点的热疲劳特性。
3. • 气密性测试：氦质谱检漏法检查封装密封性，防止湿气侵入。
   • X射线检测与SAT（超声波扫描）：检测内部引线键合、分层缺陷。
   • 3D显微镜检查：分析封装裂纹、焊球共面性等微观结构问题。
4. • EMMI（微光显微镜）定位漏电点，FIB（聚焦离子束）进行失效剖切分析。

三、半导体分立器件检测项目

1. • 二极管：正向压降（Vf）、反向击穿电压（Vbr）、漏电流（Ir）。
   • 晶体管：饱和压降（VCE(sat)）、截止电流（ICEO）、放大倍数（hFE）。
   • MOSFET/IGBT：阈值电压（VGS(th)）、导通电阻（RDS(on)）。
2. • 开关时间（如IGBT的ton/toff）、反向恢复时间（Trr）。
   • 安全工作区（SOA）：验证器件在电压-电流平面内的安全运行边界。
3. • 热阻（Rth）测试：结到环境或外壳的热阻值，反映散热能力。
   • 热失效分析：通过Thermal Imaging定位热点，评估热分布均匀性。
4. • 雪崩耐量测试（如MOSFET的UIS测试）：验证器件承受瞬态过压能力。
   • 闩锁效应（Latch-up）测试：针对CMOS工艺器件，评估抗闩锁能力。

四、检测标准与设备

1. • 电工电子：IEC 61010（安全）、IEC 60068（环境试验）。
   • 半导体：JEDEC JESD22（可靠性）、AEC-Q101（车规认证）。
2. • 示波器、半导体参数分析仪（如Keysight B1500A）、高低温试验箱、ESD模拟器等。

五、检测的意义与趋势

1. 质量保障：通过检测筛选缺陷，提升产品良率与市场竞争力。
2. 技术趋势：
   • 第三代半导体（SiC/GaN）需更高压、高温测试能力。
   • 智能化检测系统整合AI算法，实现失效模式自动分类。