反向电压测试去哪里做方案齐全?中化所材料检测机构提供反向电压测试服务，国家高新技术企业，第三方材料实验室，CMA资质认证机构，为集体所有制科研机构，实验室仪器齐全，科研团队强大，秉承科研、奉献理念，从事性能检测、非标检测、未知物检测鉴定、工业问题诊断检测、成分检测、失效检测，腐蚀检测等，7-15个工作日出具测试报告，支持二维码系统查询真伪，全国多家实验室分支，支持全国上门取样/寄样检测服务。

测试周期：7-15个工作日

测试费用：初检样品，初检之后根据客户检测需求以及实验复杂程度进行报价。

反向电压测试范围

LED，蓄电池，输出二极管，组件，电机，芯片，桥堆，主板，灯珠，数码管，汽车门锁，开关电源，马达，指示灯，整流桥，晶体管，光电耦合器，线路板，发射管，MOS管等。

测试项目：反向电压测试

中化所测试报告有什么作用?可以帮您解决哪些问题?

1、销售报告。(销售需要提供第三方检测报告，让自己的产品更具有性，让产品的数据来说话，让客户更加信赖自己的产品质量。)

2、研发报告。(研发新品过程中，碰到一些关于成分的棘手问题，通过第三方检测数据来找到问题的原因，及时的解决问题，缩短研发周期，降低研发成本)

3、改善产品质量。(通过第三方检测数据对比发现自身产品的问题，改善产品问题，提高质量，降低生产成本)

4、科研论文数据使用。

反向电压测试标准

JB/T 9478.12-1999 光电池测量方法 反向击穿电压

SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法

SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2354.12-1983 雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法

SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法

SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法

JB/T 9478.12-2013 光电池测量方法 第12部分:反向击穿电压

SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法

中化所材料检测实验室有哪些优势?

1、集体所有制检测机构，资质齐全，检测报告科学，公正，准确。

2、多家实验室分支遍布全国，支持上门取样/寄样检测。

3、检测周期短，检测费用低，实验方案更加齐全。

4、初检样品，初检期间不收任何检测费用。

5、检测报告，支持扫码查询真伪。

中化所检测流程

1、寄样。(与工程师沟通，提交自己的检测需求并且给我们研究所寄样)

2、初检样品。(收到样品之后，进行初检样品，制定详细的实验方案)

3、报价。(初检之后，根据客户检测需求以及实验复杂程度进行报价)

4、双方确定，签订保密协议，开始实验。

5、7-15个工作日完成实验。

6、邮寄检测报告，后期服务。

以上是关于反向电压测试的相关介绍，如有其他需求可以咨询实验室工程师帮您解决。