中化所检测

Menu
集体所有制材料检测实验室国家高新技术企业
English
全国服务热线400-601-8236
北京总部服务热线010-8646-0567
中化所,材料检测实验室
当前位置: 首页 > TAG信息列表 > 薄层电阻
GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法,本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。...

查看详情 发布时间:2019-11-14 13:21:25 - 点击数:76
GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法

GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法

GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法,本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。...

查看详情 发布时间:2019-11-13 11:02:44 - 点击数:144