标准编号：GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

英文名称： Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

替代情况： 替代GB/T 14146-1993

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1993-02-06

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会